我们以一个像素单位为例，如上图，这个像素中，浅色部分未曝光，而深色的是曝光部分。

  接着，用显影剂将曝光部分的光刻胶清洗掉，这样就只剩下未曝光的光刻胶部分，然后用去离子水将溶解的光刻胶冲走。

  然后用适当的酸刻液将无光刻胶覆盖的ITO膜的蚀刻掉，只保留光刻胶下方的ITO膜。ITO玻璃为（In2O3 与SnO2）的导电玻璃，未被光刻胶覆盖的ITO膜易与酸发生反应，而被光刻胶覆盖的ITO膜可以保留下来，得到相应的拉线电极。

  剥膜：用高浓度的碱液（NaOH 溶液）作脱膜液，将玻璃上余下的光刻胶剥离掉，从而使ITO玻璃形成与光刻掩模版完全一致的ITO图形。

  用有机溶液冲洗玻璃基本标签，将反应后的光刻胶带走，让玻璃保持洁净状态。这样就完成了第一道薄膜导电晶体制程，一般至少需要5道相同的过程，在玻璃上形成复杂精密的电极图形。

  这样，前段Array制程就结束了。从整一个完整的过程显而易见，前面在TFT玻璃上沉积ITO薄膜、涂光刻胶、曝光、显影、蚀刻，最终是为了在TFT玻璃上形成前期设计好的ITO电极图形，以便于在玻璃上控制液晶分子的运动。整个生产的全部过程的大致步骤并不复杂，但是技术上的细节和需要注意的几点很复杂，这里我们就不多做介绍了，有兴趣的朋友能自行查阅相关资料。

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